Бердянський державний педагогічний університет

Приймальна ректора:

bdpu.zp@gmail.com
rector_bdpu@ukr.net

Адреса:

Запорізька область, м. Бердянськ, вул. Шмідта, 4 Тимчасово переміщений до: м. Запоріжжя, вул. Жуковського, 66

Інститут нанотехнологій

Напрямки роботи інституту Нанотехнологій

  1. Дизайн та дослідження структурних і фазових характеристик оксидних гетероструктур для фотовольтаїки та сонячної енергетики
  2. Оптимізація методів синтезу наноструктурованих матеріалів на основі напівпровідників груп А3В5, А2В6, Si, SiC тощо
  3. Радіаційні дефекти в напівпровідниках та діелектриках
  4. Дослідження кераміки, синтезованої під потужним електронним променем
  5. Розробка і тестування фотокаталітичних матеріалів для очищення повітря та води в екологічно несприятливих регіонах
  6. Енергоефективність та вдосконалення матеріалів для термоелектричних перетворювачів з метою зниження використання традиційних енергоресурсів
  7. Вивчення етичних аспектів застосування нанотехнологій
  8. Підготовка фахівців в галузі нанотехнологій з акцентом на міждисциплінарні дослідження та інноваційні методики навчання
  9. Розробка наноматеріалів для покращення ефективності енергозбереження в промислових та житлових будівлях
  10. Моделювання та симуляція наноструктур для ефективної взаємодії з відновлюваними джерелами енергії

 

Співробітники інституту:

  1. Яна Сичікова – директор інституту, доктор технічних наук, професор, проректор з наукової роботи БДПУ https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=36523907500
  2. Ярослав Жидачевський – доктор технічних наук, старший науковий співробітник, професор кафедри фізики і методики навчання фізики https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=6603506739
  3. Сергій Ковачов – науковий співробітник https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=57208748653
  4. Анастасія Лисак – провідний фахівець https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=57221481509
  5. Катерина Тиховод – провідний фахівець https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=57778310000&origin=recordpage

 

Міжнародна співпраця:

Інститут тісно співпрацює з Інститутом фізики Латвійського Університету (Латвія), Інститутом фізики твердого тіла Польської академії наук (Польща), Євразійський національний університет (Казахстан)

 

Дослідження проводяться в Центрах синхротронного випромінення:

  • Max IV Beamline «FinEstBeAMS» Proposal ID 20220500,
  • DESY Photon Science PETRA III beamline P66,
  • Ліги європейських джерел фотонів на основі прискорювачів – LEAPS – Національний центр синхротронного випромінювання SOLARIS

Держбюджетні наукові проєкти:

  • № 0117U003860 «Розробка технології оцінювання показників якості та безпеки продуктів нанотехнологій протягом життєвого циклу»
  • № 0121U109426 «Теоретико-методичні засади системної фундаменталізації підготовки майбутніх фахівців у галузі наноматеріалознавства до продуктивної професійної діяльності»
  • № 0122U000129 «Пошук оптимальних умов синтезу наноструктур на поверхні напівпровідників А3В5, А2В6 і кремнію для фотоніки і сонячної енергетики» (2022 – 2025 рр.)
  • № 0116U006961 «Наноструктуровані напівпровідники для енергоефективних екологічно безпечних технологій, що підвищують рівень енергозбереження та екологічної безпеки урбосистеми»
  • № 0123U100110 Система дистанційної та змішаної профілізованої підготовки майбутніх наноінженерів до розробки нових наноматеріалів подвійного призначення, 2023-2025

 

Конкурс  “Кембридж – НФДУ 2022. Індивідуальні гранти на проведення досліджень (розробок) для українських вчених (за підтримки Кембриджського університету, Велика Британія)”:

«Дизайн та дослідження оксидних гетероструктур для портативних сонячних елементів» (керівник – Яна Сичікова)

Членство в організаціях та асоціаціях:

  • COST CA20129 – Багатомасштабне опромінення та хімія, керовані процесами та пов’язаними технологіями (MultIChem), Яна Сичікова – член Комітету з управління від України
  • COST CA20129 – багатомасштабне опромінення та хімія, керовані процесами та пов’язаними технологіями (MultIChem), Яна Сичікова – член робочих груп:

РГ 1. Багатомасштабні явища, зумовлені опроміненням та хімією

РГ 2. Міжгалузева співпраця в галузі досліджень та інновацій

РГ 3. Технологічний прогрес на основі багатомасштабного підходу

РГ 4. Навчання, розповсюдження та охоплення;

  • COST Action CA20126 – Мережа досліджень, інновацій та розробки продуктів на пористих напівпровідниках і оксидах (NETPORE), Яна Сичікова – член робочих груп:

РГ 1. Досягнення пористих матеріалів і технологій

РГ5. Управління та розповсюдження.

 

Госпдоговірна тематика:

  • Проведення моніторингу та розробка рекомендацій щодо енергоефективності малого підприємства
  • Виготовлення зразків матеріалів, а саме: пластини поруватого фосфіду індію на монокристалічній підкладці
  • Виготовлення зразків матеріалів, а саме: пластини поруватого фосфіду галію на монокристалічній підкладці

Перелік отриманих охоронних документів на об’єкти права інтелектуальної власності

  • Патент на корисну модель № u201810246 «Спосіб отримання макропоруватого арсеніду галію із середнім рівнем поруватості» / Я.О. Сичікова, І.Т. Богданов. С.С. Ковачов. Власник: Бердянський державний педагогічний університет. Опубл.: 25.03.2019, бюл. № 6.
  • Патент на корисну модель № u201810247 «Спосіб отримання макропоруватого фосфіду галію з низьким рівнем поруватості» / Я.О. Сичікова, І.Т. Богданов. С.С. Ковачов. Власник: Бердянський державний педагогічний університет. Опубл.: 25.03.2019, бюл. № 6.
  • Патент на корисну модель № u201810253 «Спосіб отримання мезопоруватого фосфіду індію» / Я.О. Сичікова, І.Т. Богданов. С.С. Ковачов. Власник: Бердянський державний педагогічний університет. Опубл.: 25.03.2019, бюл. № 6.
  • Патент на корисну модель № u201810291 «Спосіб отримання низькопоруватих шарів на поверхні фосфіду індію» / Я.О. Сичікова, І.Т. Богданов. С.С. Ковачов. Власник: Бердянський державний педагогічний університет. Опубл.: 25.03.2019, бюл. № 6.
  • Патент на корисну модель №u201810292 «Спосіб отримання високопоруватого арсеніду галію» / Я.О. Сичікова, І.Т. Богданов. С.С. Ковачов. Власник: Бердянський державний педагогічний університет. Опубл.: 25.03.2019, бюл. № 6
  • Патент на корисну модель №u201810251 «Спосіб отримання текстурованих наноструктур на поверхні фосфіду індію» / Я.О. Сичікова, І.Т. Богданов. С.С. Ковачов. Власник: Бердянський державний педагогічний університет. Опубл.: 10.05.2019, бюл. № 9.
  • Сичікова Я.О., Ковачов С.; Богданов І. Спосіб отримання мікропоруватого фосфіду галію шляхом електрохімічного травлення. Патент Пат. 150700, бюл. № 11/2022
  • Сичікова Я.О., Богданов І.; Ковачов С.; Лазаренко А.; Шишкін Г.; Бондаренко В.; Піменов Д.; Тиховод К.; Медведенко О. Спосіб отримання високопоруватих шарів селеніду цинку. Пат. 150697, 11/2022
  • Сичікова Я.О., Ковачов С.; Богданов І. Спосіб отримання трекових пор на поверхні фосфіду індію n-типу провідності. Пат. 150661, 11/2022
  • Сичікова Я.О., Ковачов С.; Богданов І.; Лазаренко А.; Шишкін Г.Спосіб хімічної поліровки поверхні фосфіду індію. Пат. 150660, 11/2022
  • Сичікова Я.О., Ковачов С.; Богданов І.; Лазаренко А. Спосіб отримання періодичних поруватих наноструктур на поверхні високолегованого фосфіду. Пат. 150659, 11/2022
  • Сичікова Я.О., Ковачов С.; Богданов І.; Лазаренко А. Спосіб отримання наноструктур на поверхні високолегованого фосфіду, упакованих по типу “паркет” Пат.150658, 11/2022
  • Сичікова Я.О., Ковачов С.; Богданов І.; Лазаренко А.; Шишкін Г. Спосіб отримання мезопоруватого фосфіду галію. Пат.150657, 10/2022
  • Сичікова Я.О., Ковачов С.; Богданов І.; Лазаренко А. Шишкін Г.; Бондаренко В.; Піменов Д.; Тиховод К.; Медведенко О.; Єфіменко Ю. Спосіб отримання мезопоруватого шару на поверхні селеніду цинку. Пат.150656, 10/2022
  • Сичікова Я.О., Ковачов С.; Богданов І.; Лазаренко А.; Шишкін Г.; Бондаренко В. Спосіб отримання ланцюгових пор на поверхні фосфіду індію методом електрохімічного травлення. Пат.150655, 10/2022
  • Сичікова Я.О., Ковачов С.; Богданов І. Спосіб отримання кристалографічно орієнтованих пор на поверхні фосфіду індію. Пат.150618, 10/2022

 Перелік важливих публікацій