Пошук оптимальних умов синтезу наноструктур на поверхні напівпровідників А3В5, А2В6 і кремнію для фотоніки і сонячної енергетики
Вид дослідження: наукова робота молодих вчених
Назва: «Пошук оптимальних умов синтезу наноструктур на поверхні напівпровідників А3В5, А2В6 і кремнію для фотоніки і сонячної енергетики».
Основна ідея проєкту: наноструктуровані матеріали мають широкі перспективи застосування у сонячній енергетиці, для створення лазерів, сенсорів, діодів, приладів фотоніки тощо.
Широке впровадження їх у промисловість стримується через відсутність єдиного підходу до процесів синтезу таких матеріалів у дешевий та простий спосіб.
Ще однією проблемою є низька відтворюваність результатів обробки поверхні кристалів. Через це кожна сформована наноструктура має свій унікальний морфологічний рельєф, що перешкоджає розробці уніфікованих вимог до наноструктурованих напівпровідників.
Наукові та практичні результати виконання проєкту стануть основою для виробництва зазначених матеріалів у промисловому масштабі та передумовою для їх масового використання як матерріалу фотоніки та сонячної енергетики.
Мета проєкту: розробити відтворювану і ефективну методику синтезу наноструктур на поверхні напівпровідників групи А3В5, А2В6, кремнію, дослідити їхні оптичні, електрохімічні та структурні властивості, а також становити вплив дефектів на морфологію поверхневих шарів.
Керівник проєкту:
- Яна Сичікова.
Виконавці проекту:
- Сергій Ковачов;
- Анастасія Лисак;
- Іван Косогов;
- Дар’я Дрожча.
Презентація проєкту та його проміжних результатів