Патенти

1. Я.О. Сичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач. Спосіб отримання макропоруватої поверхні фосфіду індію методом електролітичного травлення у розчині плавикової кислоти Пат. 51830 Україна, МПК(2006): G01N 27/00. № a200911608; заява 13.11.2009; опубл. 10.08.2010, Бюл. № 15/2010.
2. Я.О. Сичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач, Спосіб отримання нанопоруватого шару фосфіду індію шляхом електрохімічного травлення у розчині плавикової кислоти. Пат. 50341 Україна, МПК(2006): G01N 27/00. № a200911298; заява. 06.11.2009; опубл. 10.06.2010, Бюл. № 11/2010.
3. Я.О. Сичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач. Спосіб отримання поруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію р-типу. Пат. 49947 Україна, МПК(2006): G01N 27/00.№ u201003113; заява 18.03.2010; опубл. 11.05.2010, Бюл. № 9/2010.
4. Я.О. Сичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач, О.С. Балан, А.А. Коноваленко. Спосіб текстурування поверхні фосфіду індію p-типу. Пат. 53712 Україна, МПК(2006): H01L 21/306 (2006.01). № u201006059; заява 19.05.2010; опубл. 11.10.2010, Бюл. № 19/2010.
5. Я.О. Сичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач, О.С. Балан, А.А. Коноваленко. Спосіб отримання плівки InN на підкладці з поруватого шару InP. Пат. 54800 Україна, МПК(2006): H01L 21/00 (2006.01). № 201006056 ; заява 19.05.2010; опубл. 25.11.2010, Бюл. № 22/2010.
6. Я.О. Сичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач. Спосіб дослідження смуг сегрегації домішки фосфіду індію шляхом селективного електрохімічного травлення. Пат. 93456 Україна, МПК(2006): G01N 27/00. Пат. 50341 Україна, МПК(2006): G01N 27/00. № a200911327; заява 06.11.2009; опубл. 10.02.2011, Бюл. № 3/2011.
7. Я.О. Сичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач, О.В. Мараховський . Спосіб отримання поруватого шару ZnSe n-типу методом електрохімічного травлення при освітленні зразків лазером. Пат. 57476 Україна, МПК(2006): H01L 21/3063 (2011.01). Пат. 50341 Україна, МПК(2006): G01N 27/00. № u201010694; заява 06.09.2010; опубл. 25.02.2011, Бюл. № 4/2011.
8. Я.О. Сичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач. Спосіб видалення поруватого шару з поверхні por-InP. Пат. 58008 Україна, МПК(2006): C03C 15/00 (2011.01). № u201010721; заява 06.09.2010; опубл. 25.03.2011, Бюл. № 6/2011.

9. Я.О. Сичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач. Склад поліруючого травника для фосфіду індію n-типу. Пат. 62226 Україна, МПК (2011.01): C03C 15/00. № u201010720; заява 06.09.2010; опубл. 25.03.2011, Бюл. № 6/2011.
10. Я.О. Сичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач. Спосіб визначення кристалографічної орієнтації поверхні фосфіду індію. Пат. 57476 Україна, МПК (2011.01): H01L 21.№ u201011543; заява 28.09.2010; опубл. 12.09.2011, Бюл. № 17/2011.
11. Я.О. Сичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач. Спосіб отримання поруватого шару p-GaAs шляхом електрохімічного травлення. Пат 57811Україна, МПК (2011.01): C01G 15/00. № u201010738 ; заява 06.09.2010 ; опубл 10.03.2011, Бюл. № 5/2011.
12. Я.О. Сичікова, А.А. Коноваленко Пристрій для отримання поруватих сполук. Пат. 80523: МПК (2013.01). № u201206398; заява 28.05.2013; опубл. 10.06.2013, Бюл. № 11/2013. – 5 с.
13. Я.О.Сичікова. Спосіб отримання нанорозмірних структур In/InP по типу квантових точок. Пат. 80520: МПК (2013.01). № u201206512; заява 29.05.2013; опубл. 10.07.2013, Бюл. № 11/2013. – 5 с.
14. Я.О. Сичікова. Спосіб отримання періодичних структур por-InP/mono-InP шляхом електро-хімічного травлення Пат. 80521 Україна, МПК (2013.01). № u201206511; заява 29.05.2013; опубл. 10.07.2013, Бюл. № 11/2013. – 5 с.
15. Я.О. Сичікова. Спосіб виготовлення оксидних кристалітів на поверхні порува-того фосфіду індію. Пат. 80524 Україна, МПК (2013.01). № u201206501; заява 29.05.2013; опубл. 10.06.2013, Бюл. № 11/2013. – 5 с.
16. Я.О. Сичікова, А.А. Коноваленко Спосіб отримання поруватого кремнію. Пат. 80522 Україна, МПК (2013.01). № u201206397; заява 28.05.2013; опубл. 10.06.2013, Бюл. № 11/2013. – 5 с.
17. Я.О. Сичікова, І.Т. Богданов. С.С. Ковачов. Спосіб отримання макропоруватого фосфіду галію з низьким рівнем поруватості. Патент на корисну модель № u201810247 . Опубл.: 25.03.2019, бюл. № 6.
18. Я.О. Сичікова, І.Т. Богданов. С.С. Ковачов. Спосіб отримання мезопоруватого фосфіду індію Патент на корисну модель № u201810253. Опубл.: 25.03.2019, бюл. № 6.
19. Я.О. Сичікова, І.Т. Богданов. С.С. Ковачов Спосіб отримання макропоруватого арсеніду галію із середнім рівнем поруватості.Патент на корисну модель № u201810246. Опубл.: 25.03.2019, бюл. № 6. .
20. Я.О. Сичікова, І.Т. Богданов. С.С. Ковачов. Спосіб отримання низькопоруватих шарів на поверхні фосфіду індію Патент на кори сну модель № u201810291. Опубл.: 25.03.2019, бюл. № 6.
21. Я.О. Сичікова, І.Т. Богданов. С.С. Ковачов.Спосіб отримання високопоруватого арсеніду галію. Патент на корисну модель №u201810292. Опубл.: 25.03.2019, бюл. № 6
22. Я.О. Сичікова, І.Т. Богданов. С.С. Ковачов. Спосіб отримання текстурованих наноструктур на поверхні фосфіду індію. Патент на корисну модель №u201810251. Опубл.: 10.05.2019, бюл. № 9.
23. Я.О. Сичікова, І.Т. Богданов, С.О. Вамболь, В.В. Вамболь. Спосіб отримання блокових наноструктур на поверхні фосфіду індію Пат. 128769 Україна, МПК C30B 33/10 (2006.01). № u 2018 03056; заява 26.03.2018; опубл. 10.10.2018, Бюл. № 19/2018.
24. Я.О. Сичікова, І.Т. Богданов, С.О. Вамболь, В.В. Вамболь. Спосіб виготовлення обкладок суперконденсаторів на основі поруватого фосфіду індію. Пат. 127110 Україна, МПК H01L 31/0735 (2012.01). № u 2018 03121; заява 26.03.2018; опубл. 10.07.2018, Бюл. № 13/2018.
25. Я.О. Сичікова, І.Т. Богданов, С.О. Вамболь, В.В. Вамболь. Спосіб отримання нанодротів на поверхні арсеніду галію Пат. 129114 Україна, МПК C30B 33/10 (2006.01). № u 2018 03097; заява 26.03.2018; опубл. 25.10.2018, Бюл. № 20/2018.
26. Я.О. Сичікова, І.Т. Богданов, С.О. Вамболь, В.В. Вамболь. Спосіб пасивації поверхні поруватого фосфіду індію Пат. 129113 Україна, МПК C30B 33/10 (2006.01). № u 2018 03095; заява 26.03.2018; опубл. 25.10.2018, Бюл. № 20/2018.

Публікації

1. Usseinov, A., Koishybayeva, Z., Platonenko, A., …Suchikova, Y., Popov, A.I. Ab-Initio Calculations of Oxygen Vacancy in Ga2O3Crystals. Latvian Journal of Physics and Technical Sciences, 2021, 58(2), pp. 3–10 (Scopus, SNIP 0.545)
2. Suchikova, Y.O., Bogdanov, I.T., Kovachov, S.S., …Myroshnychenko, V.O., Panova, N.Y. Optimal ranges determination of morphological parameters of nanopatterned semiconductors quality for solar cells. Archives of Materials Science and Engineering, 2020, 101(1), pp. 15–24 (Scopus, SNIP 0.478, Web of Science Core Collection)
3. Sychikova, Y.O., Bogdanov, I.T., Kovachov, S.S. Influence of current density of anodizing on the geometric characteristics of nanostructures synthesized on the surface of semiconductors of A3B5 group and silicon. Functional Materials, 2019, 27(1), pp. 29–34 (Scopus, SNIP 0.393, Web of Science Core Collection)
4. Suchikova, Y.O., Bogdanov, I.T., Kovachov, S.S. Oxide crystals on the surface of porous indium phosphide. Archives of Materials Science and Engineering, 2019, 98(2), pp. 49–56 (Scopus, SNIP 0.478)
5. Suohikova, Y., Vambol, S., Vambol, V., Mozaffari, N., Mozaffari, N. Justification of the most rational method for the nanostructures synthesis on the semiconductors surface. Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering, 2019, 92(1-2), pp. 19–28 (Scopus, SNIP 0.429)
6. Kondratenko, O., Mishchenko, I., Chernobay, G., Derkach, Y., Suchikova, Y. Criteria based assessment of the level of ecological safety of exploitation of electric generating power plant that consumes biofuels. 2018 IEEE 3rd International Conference on Intelligent Energy and Power Systems, IEPS 2018 – Proceedings, 2018, 2018-January, pp. 189–194, 8559570
7. Vambol, S., Vambol, V., Kondratenko, O., Koloskov, V., Suchikova, Y. Substantiation of expedience of application of high-temperature utilization of used tires for liquefied methane production. Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering, 2018, 87(2), pp. 77–84 (Scopus, SNIP 0.429)
8. Vambol, S., Vambol, V., Suchikova, Y., Bogdanov, I., Kondratenko, O. Investigation of the porous GaP layers’ chemical composition and the quality of the tests carried out. Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering, 2018, 86(2), pp. 49–60 (Scopus, SNIP 0.429)
9. Vambol, S.O., Bogdanov, I.T., Vambol, V.V., Suchikova, Ya.O., Kovachov, S.S. Correlation between technological factors of synthesis of por-gap and its acquired properties. Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 2018, 16(4), pp. 657–670 (Scopus, SNIP 0.249)
10. Vambol, S., Bogdanov, I., Vambol, V., Suchikova, Y., Kondratenko, O. Forming the low-porous layers of indium phosphide with the predefined quality level. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 2018, 3(12-93), pp. 48–55 (Scopus, SNIP 0.755)
11. Vambol, S.O., Bohdanov, I.T., Vambol, V.V., …Nestorenko, T.P., Onyschenko, S.V. Improvement of electrochemical supercapacitors by using nanostructured semiconductors. Journal of Nano- and Electronic Physics, 2018, 10(4), 04020 (Scopus, SNIP 0.425)
12. Suchikova, Y., Bogdanov, I., Onishchenko, S., …Vambol, V., Kondratenko, O. Morphologies and photoluminescence properties of porous n-InP. Proceedings of the 2017 IEEE 7th International Conference on Nanomaterials: Applications and Properties, NAP 2017, 2017, 2017-January, 01PCSI17 (Scopus)
13. Suchikova, Y., Bogdanov, I., Onishchenko, S., …Vambol, V., Kondratenko, O. Photoluminescence of porous indium phosphide: Evolution of spectra during air storage. Proceedings of the 2017 IEEE 7th International Conference on Nanomaterials: Applications and Properties, NAP 2017, 2017, 2017-January, 01PCSI30 (Scopus)
14. Suchikova, Y.O. Preparation of block nanostructures on the surface of indium phosphide. Journal of Nano- and Electronic Physics, 2017, 9(3), 03005 (Scopus, SNIP 0.425)
15. Suchikova, Y.O. Sulfide passivation of indium phosphide porous surfaces. Journal of Nano- and Electronic Physics, 2017, 9(1), 01006 (Scopus, SNIP 0.425)
16. Vambol, S., Vambol, V., Suchikova, Y., Deyneko, N. Analysis of the ways to provide ecological safety for the products of nanotechnologies throughout their life cycle. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 2017, 1(10-85), pp. 27–36 (Scopus, SNIP 0.755)
17. Vambol, S., Vambol, V., Bogdanov, I., Suchikova, Y., Rashkevich, N. Research of the influence of decomposition of wastes of polymers with nano inclusions on the atmosphere. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 2017, 6(10-90), pp. 57–64 (Scopus, SNIP 0.755)
18. Vambol, S., Vambol, V., Kondratenko, O., Suchikova, Y., Hurenko, O. Assessment of improvement of ecological safety of power plants by arranging the system of pollutant neutralization. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 2017, 3(10-87), pp. 63–73 (Scopus, SNIP 0.755)
19. Vambol, S., Bogdanov, I., Vambol, V., …Lopatina, H., Tsybuliak, N. Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 2017, 6(5-90), pp. 22–31 (Scopus, SNIP 0.755)
20. Vambol, S.O., Bohdanov, I.T., Vambol, V.V., …Nestorenko, T.P., Onyschenko, S.V.Formation of filamentary structures of oxide on the surface of monocrystalline gallium arsenide. Journal of Nano- and Electronic Physics, 2017, 9(6), 06016 (Scopus, SNIP 0.425, Web of Science)
21. Vambol, S., Bogdanov, I., Vambol, V., …Hurenko, O., Onishchenko, S. Research into regularities of pore formation on the surface of semiconductors. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 2017, 3(5-87), pp. 37–44 (Scopus, SNIP 0.755)
22. Suchikova, Y. Provision of environmental safety through the use of porous semiconductors for solar energy sector. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 2016, 6(5), pp. 26–33 44 (Scopus, SNIP 0.755)
23. Yana, S. Porous indium phosphide: Preparation and properties. Handbook of Nanoelectrochemistry: Electrochemical Synthesis Methods, Properties, and Characterization Techniques, 2016, pp. 283–306 (Scopus)
24. Khrypunov, G., Vambol, S., Deyneko, N., Suchikova, Y. Increasing the efficiency of film solar cells based on cadmium telluride. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 2016, 6(5), pp. 12–18(Scopus, SNIP 0.755)
25. Suchikova, J.A. Synthesis of indium nitride epitaxial layers on a substrate of porous indium phosphide. Journal of Nano- and Electronic Physics, 2015, 7(3), 03017 (Scopus, SNIP 0.425, Web of Science)
26. Sychikova, Y.A., Kidalov, V.V., Sukach, G.A. Dependence of the threshold voltage in indium-phosphide pore formation on the electrolyte composition Journal of Surface Investigation, 2013, 7(4), pp. 626–630 (Scopus, SNIP 0.624, Web of Science)
27. Suchikova, Y.A., Kidalov, V.V., Konovalenko, A.A., Sukach, G.A. Usage of porous indium phosphide as substrate for indium nitride films. ECS Transactions, 2011, 33(38), pp. 73–77(Scopus, Web of Science)
28. Suchikova, Y.A., Kidalov, V.V., Sukach, G.A. Influence of dislocations on the process of pore formation in n-InP (111) single crystals. Semiconductors, 2011, 45(1), pp. 121–124 (Scopus, SNIP 0.759, Web of Science )
29. Suchikova, J.A., Kidalov, V.V., Sukach, G.A. Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution. Functional Materials, 2010, 17(1), pp. 131–134 (Scopus, SNIP 0.393, Web of Science Core Collection)
30. Suchikova, Y.A., Kidalov, V.V., Sukach, G.A. Influence of the carrier concentration of indium phosphide on the porous layer formation. Journal of Nano- and Electronic Physics, 2010, 2(4), pp. 75–81(Scopus, SNIP 0.425)
31. Suchikova, J.A., Kidalov, V.V., Sukach, G.A. Blue shift of photoluminescence spectrum of porous InP. ECS Transactions, 2010, 25(24), pp. 59–64 (Scopus)
32. Suchikova, Y.A., Kidalov, V.V., Balan, O.S., Sukach, G.A. Texturation of the phosphide indium surface. Journal of Nano- and Electronic Physics, 2010, 2(1), pp. 84–88 (Scopus, SNIP 0.425)
33. Bekirov, B., Ivanchenko, I., Kidalov, V., Popenko, N., Suchikova, Ya.. Structural and magnito-resonance properties of indium phosphide. 2010 International Kharkov Symposium on Physics and Engineering of Microwaves, Millimeter and Submillimeter Waves, MSMW’2010, 2010, 5546040 (Scopus)
34. Suchikova, Y.A., Kidalov, V.V., Sukach, G.A. Influence of type anion of electrolit on morphology porous inp obtained by electrochemical etching. Journal of Nano- and Electronic Physics, 2009, 1(4), pp. 78–86 (Scopus, SNIP 0.425)
35. Suchikova Y., Kosach N., Bolshakov V., Shishkin G. Synthesized nanostructures formation time effect on their morphological quality indicators ‒pore diameter increase in nanostructured coatings. Ukrainian Metrological Journal. 2020. №4. Р 43-49. (Web of Science)
36. Suchikova Y., Bogdanov I., Kovachov S., Lopatina H., Tsybuliak N., Panova N. Research of the Structure of Nanomaterials by Analysis of Micromorphology Images. Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii. 2020. V. 18, № 4, Р. 875–888 (Scopus)