
Сичікова Яна Олександрівна
завідувач кафедри фізики та методики навчання фізики факультету фізико-математичної, комп’ютерної та технологічної освіти
доктор технічних наук, доцент
ORCID iD
Біографія
Освіта:
У 2006 році закінчила фізико-математичний факультет Бердянського державного педагогічного університету і отримала диплом з відзнакою за спеціальністю «Фізика». У 2007 році закінчила магістратуру БДПУ фізико-математичного факультету за спеціальністю «Фізика» та отримала диплом з відзнакою магістра фізики, викладача. У 2016 році закінчила Національний університет цивільного захисту України, отримала диплом з відзнакою бакалавра «Охорона праці», кваліфікація інспектора з охорони праці.
Наукова діяльність:
У 2013 році захистила кандидатську дисертацію за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків. Назва теми дисертації: «Морфологічні властивості наноструктур, сформованих на поверхні монокристалічного фосфіду індію методом електрохімічного травлення».
У 2015 році отримала вчене звання доцента кафедри методики викладання фізико-математичних дисциплін та інформаційних технологій у навчанні Бердянського державного педагогічного університету.
У 2019 році захистила докторську дисертацію за спеціальністю 05.01.02 – стандартизація, сертифікація та метрологічне забезпечення. Тема дисертації «Науково-методологічні засади оцінювання якості й властивостей наноструктур на поверхні напівпровідників».
Трудова діяльність: З січня 2006 по вересень 2007 працювала у Бердянській школі-інтернаті на посаді вчителя математики. З вересня 2007 року працювала асистентом кафедри прикладної фізики, з 8 вересня 2008 по 28 листопада 2008 рр. – науковим співробітником науково-дослідного інституту нанотехнологій та системної інженерії. З 1 листопада 2008 року по 30 листопада 2011 р. перебувала у цільовій аспірантурі при БДПУ. З грудня 2011 року переведена на посаду старшого викладача кафедри дидактики природничо-наукових дисциплін та інформаційних технологій у навчанні. З квітня 2013 року призначена заступником декана факультету фізико-математичної і технологічної освіти БДПУ з соціально-виховної роботи, міжнародної та наукової діяльності. З 2017 голова Ради молодих вчених університету. З 2017 по 2020 роки працювала на посаді доцента кафедри професійної освіти, трудового навчання та технологій.
Публікації
Статті у наукометричних базах даних Web of Science та Scopus
1 Suchikova Y.A. Synthesis of indium nitride epitaxial layers on a substrate of porous indium phosphide / Y.A. Suchikova // Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2015. – Vol. 7, Is.3. – pp. 03017-1 – 03017-3
2 Suchikova Y.A. Influence of dislocations on the process of pore formation in n-InP (111) single crystals / Y.A. Suchikova, V.V. Kidalov, G.A. Sukach // Semiconductors. – 2011. – Vol. 45, Is. 1. – pp. 121–124.
3 Suchikova Y.A. Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution / Y.A. Suchikova, V.V. Kidalov, G.A. Sukach // Functional Materials. – 2010. – Vol. 17, Is.1. – pp. 131–134.
4 Suchikova Y.A. Blue shift of photoluminescence spectrum of porous InP / Y.A. Suchikova, V.V. Kidalov, A.A. Konovalenko, G.A. Sukach // ECS Transactions. – 2010. – Vol. 25(24). – pp 59–64.
5 Sychikova Ya.A. Dependence of the threshold voltage in indium-phosphide pore formation on the electrolyte composition / Ya.A. Sychikova, V.V. Kidalov, G.A. Sukach // Poverkhnost’. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Neitronnye Issledovaniya/ – 2013. – No. 7. – pp. 25–30.
6 Suchikova Y.A. Influence of the carrier concentration of indium phosphide on the porous layer formation / Y.A. Suchikova, V.V. Kidalov, G.A. Sukach // Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2010. – Vol. 2, Is.4. – pp. 75–81.
7 Suchikova Y.A. Texturation of the phosphide indium surface / Y.A. Suchikova, V.V. Kidalov, G.A. Sukach, O.S. Balan // Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2010. – Vol. 2, Is.1. – pp. 84–88.
8 Khrypunov, G. Increasing the efficiency of film solar cells based on cadmium telluride / G. Khrypunov, S. Vambol, N. Deyneko, Y. Suchikova [Text] // Eastern-European Journal of Eenterprise Technologies. – 2016. – № 6/5 (84) – Р. 12–18.
9 Suchikova, Y. Provision of environmental safety through the use of porous semiconductors for solar energy sector [Text] / Y. Suchikova // Eastern-European Journal of Eenterprise Technologies. – 2016. – № 6/5 (84) – Р. 26–33.
10 Vambol, S. Analysis of the ways to provide ecological safety for the products of nanotechnologies throughout their life cycle [Text] / S.Vambol, V. Vambol, Y. Suchikova, N. Deyneko // Eastern-European Journal of Eenterprise Technologies. – 2017. – №. 1 (10). – P. 27–36.
11 Vambol S. Research into regularities of pore formation on the surface of semiconductors / S. Vambol, I. Bogdanov, V. Vambol, Y. Suchikova, O. Kondratenko, O. Hurenko, S. Onishchenko // Eastern-European Journal of Eenterprise Technologies. – 2017. – №. 3/5 (87). – P. 37–44.
12 Vambol S. Assessment of improvement of ecological safety of power plants by arranging the system of pollutant neutralization / S. Vambol, V. Vambol, O. Kondratenko, Y. Suchikova, O. Hurenko // Eastern-European Journal of Eenterprise Technologies. – 2017. – №. 3/10 (87). – P. 63–73.
13 Suchikova Y.A. Sulfide passivation of indium phosphide porous surfaces / Y.A. Suchikova // Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2017. Vol. 5, Is.4. – pp. 04001-1– 04001-4
14 Suchikova Y.A. Preparation of block nanostructures on the surface of indium phosphide / Y.A. Suchikova // Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2017. Vol. 9, Is.3. – pp. 03005-1– 03005-5
15 Suchikova Y.A. Usage of porous indium phosphide as substrate for indium nitride films / Y.A. Suchikova, V.V. Kidalov, A.A. Konovalenko, G.A. Sukach // ECS Transactions. – 2011. – p. 73–77
Монографії
1 Vambol S. O. Scientific and practical problems of application of
ecological safety management systems in technics and technologies.
Monograph. / S. O. Vambol, V. V. Vambol, Y. O. Suchikova, I. V. Mishchenko, O. M. Kondratenko. – Opole: The Academy of Management and Administration in Opole, 2017. – pp.205
2 Suchikova Y. Porous Indium Phosphide: Preparation and Properties / Handbook of Nanoelectrochemistry: Electrochemical Synthesis Methods, Properties and Characterization Techniques. – Springer International Publishing, 2015. – 1452 р./ Р. 201-220.
3 Сичікова Я.О. Фізико-технологічні засади отримання та аналізу властивостей поруватих шарів фосфіду індію: [монографія] / Я.О. Сичікова,–Бердянськ : Видавець Ткачук О.В., 2015. – 140 с.
4 Сичікова Я.О. Формирование пористых структур фосфида индия с заданными свойствами / Я.О. Сичікова. Г.О. Сукач, В.В. Кідалов, – Донецк : Юго-Восток, 2010. — 230 с. / С. 3–105.
5 Сичікова Я.О. Дефекти структури та процеси пороутворення у фосфіді індію: [монографія] / Я.О. Сичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач, – Донецьк : Юго-Восток, 2011. — 218 с. / С. 3–140.
6 Сичікова Я.О. Теоретико-методичні засади фахової підготовки вчителів фізики та математики в умовах освітнього інформаційнного середовища: [колективна монографія]., – за заг. ред. Н.Л. Сосницької, – Донецк : Ландон XXI: Юго-Восток, 2012. — 241 с. / С. 71-121.
7 Вамболь С.О. Енергоефективність фотоелектричних перетворювачів для забезпечення екологічно чистої енергетики: [монографія] / С.О. Вамболь, Я.О. Сичікова, Н.В. Дейнеко – Бердянськ : Видавець Ткачук О.В., 2016. – 256 с.
- Сычикова Я.А. Пористый фосфид индия: технологии получения и исследования свойств / Я.А. Сычикова // LAP LAMBERT Academic Publishing. – 2015. – 300 с.
- Сычикова Я.А. Наноразмерные структуры на поверхности фосфида индия: технологический аспект / Я.А. Сычикова // LAP LAMBERT Academic Publishing. – 2014. – 133 с.
- Suchikova Y. Problems of spatial development of socio-economic systems: economics, education, medicine Monograph. Opole: The academy of management and administration in Opole, 2015. – pp. 380. /222 – 229.
Патенти
1 Пат. 50341 Україна, МПК(2006): G01N 27/00. Спосіб отримання нанопоруватого шару фосфіду індію шляхом електрохімічного травлення у розчині плавикової кислоти / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О.; заявник та патентовласник Сичікова Я.О. – № a200911298; заявл. 06.11.2009; опубл. 10.06.2010, Бюл. № 11/2010.
2 Пат. 51830 Україна, МПК(2006): G01N 27/00. Спосіб отримання макропоруватої поверхні фосфіду індію методом електролітичного травлення у розчині плавикової кислоти / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О.; заявник та патентовласник Сичікова Я.О. – № a200911608; заявл. 13.11.2009; опубл. 10.08.2010, Бюл. № 15/2010.
3 Пат. 57476 Україна, МПК(2006): H01L 21/3063 (2011.01). Спосіб отримання поруватого шару ZnSe n-типу методом електрохімічного травлення при освітленні зразків лазером / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О., Мараховський О.В.; заявник та патентовласник Сичікова Я.О. – № u201010694; заявл. 06.09.2010; опубл. 25.02.2011, Бюл. № 4/2011.
4 Пат 57811 Україна, МПК (2011.01): C01G 15/00. Спосіб отримання поруватого шару p-GaAs шляхом електрохімічного травлення / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О.,Кірілаш О.І.; заявник та патентовласник Сичікова Я.О. – № u201010738 ; заявл. 06.09.2010 ; опубл. 10.03.2011, Бюл. № 5/2011.
5 Пат. 49947 Україна, МПК(2006): G01N 27/00. Спосіб отримання поруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію р-типу / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О.; заявник та патентовласник Сичікова Я.О. – № u201003113; заявл. 18.03.2010; опубл. 11.05.2010, Бюл. № 9/2010.
6 Пат. 53712 Україна, МПК(2006): H01L 21/306 (2006.01). Спосіб текстурування поверхні фосфіду індію p-типу / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О., Балан О.С., Коноваленко А.А.; заявник та патентовласник Сичікова Я.О. – № u201006059; заявл. 19.05.2010; опубл. 11.10.2010, Бюл. № 19/2010.
7 Пат. 62226 Україна, МПК (2011.01): C03C 15/00. Склад поліруючого травника для фосфіду індію n-типу / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О; заявник та патентовласник Сичікова Я.О. – № u201010720; заявл. 06.09.2010; опубл. 25.03.2011, Бюл. № 6/2011.
8 Пат. 58008 Україна, МПК(2006): C03C 15/00 (2011.01). Спосіб видалення поруватого шару з поверхні por-InP / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О., Балан О.С., Коноваленко А.А.; заявник та патентовласник Сичікова Я.О. – № u201010721; заявл. 06.09.2010; опубл. 25.03.2011, Бюл. № 6/2011.
9 Пат. 54800 Україна, МПК (2011.01): C03C 15/00. Спосіб отримання плівки InN на підкладці з поруватого шару InP / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О, О.С. Балан, А.А. Коноваленко; заявник та патентовласник Сичікова Я.О. – № u201006056; заявл. 06.09.2010; опубл. 25.03.2011, Бюл. № 22/2010.
10 Пат. 93456 Україна, МПК(2006): G01N 27/00. Спосіб дослідження смуг сегрегації домішки фосфіду індію шляхом селективного електрохімічного травлення / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О.; заявник та патентовласник Сичікова Я.О. – № a200911327; заявл. 06.11.2009; опубл. 10.02.2011, Бюл. № 3/2011.
11 Пат. 57476 Україна, МПК (2011.01): H01L 21. Спосіб визначення кристалографічної орієнтації поверхні фосфіду індію / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О.; заявник та патентовласник Сичікова Я.О. № u201011543; заява 28.09.2010; опубл. 12.09.2011, Бюл. № 17/2011.
12 Пат. 80523: МПК (2013.01). Пристрій для отримання поруватих сполук / Сичікова Я.О., Коноваленко А.А. № u201206398; заява 28.05.2013; опубл. 10.06.2013, Бюл. № 11/2013.
13 Пат. 80520: МПК (2013.01). Спосіб отримання нанорозмірних структур In/InP по типу квантових точок / Сичікова Я.О. № u201206512; заява 29.05.2013; опубл. 10.07.2013, Бюл. № 11/2013. – 5 с.
14 Пат. 80521 Україна, МПК (2013.01). Спосіб виготовлення оксидних кристалітів на поверхні порува-того фосфіду індію / Сичікова Я.О. № u201206511; заява 29.05.2013; опубл. 10.07.2013, Бюл. № 11/2013. – 5 с.
15 Пат. 80521 Україна, МПК (2013.01). Спосіб отримання періодичних структур por-InP/mono-InP шляхом електро-хімічного травлення / Сичікова Я.О. № u201206511; заява 29.05.2013; опубл. 10.07.2013, Бюл. № 11/2013. – 5 с.
16 Пат. 80522 Україна, МПК (2013.01). Спосіб отримання поруватого кремнію / Сичікова Я.О., Коноваленко А.А. № u201206397; заява 28.05.2013; опубл. 10.06.2013, Бюл. № 11/2013. – 5 с.
Наукові інтереси
Фізика напівпровідників та діелектриків, нанотехнології, застосування наноструктур у альтернативній енергетиці, охорона праці.
Контакти