В умовах військової агресії проти України існує нагальна потреба вдосконалити технології військового призначення, зокрема розробити високочутливі фотодетектори та лазери для систем раннього виявлення загроз, таких як шлейфи ракет або перетин кордону. Ці пристрої критично важливі для безпеки країни. Також є попит у цивільних сферах, як-от гасіння пожеж, моніторинг довкілля та альтернативна енергетика, які потребують сучасних оптичних матеріалів. Основна проблема — це створення високоякісних гетероструктур для фотодетекторів та лазерів на основі AlₓGa₁₋ₓAs, GaₓAs₁₋ₓO₃ та CdₓTeᵧO₃. Через невідповідність кристалічних граток між матеріалами виникають дефекти, які знижують ефективність цих пристроїв. Проєкт передбачає наноструктурування поверхонь GaAs та CdO методом електрохімічного травлення для створення пористих буферних шарів, які зменшать напруження та дефекти під час росту гетероструктур.

Мета роботи

Мета роботи полягає у розробці та оптимізації композиційно керованих гетероструктур на основі AlₓGa₁₋ₓAs, GaₓAs₁₋ₓO₃ та CdₓTeᵧO₃ з мінімізованими ефектами невідповідності кристалічних ґраток, використовуючи наноструктуровані буферні шари. Це спрямовано на покращення характеристик фотодетекторів та лазерів, які мають важливе військове та цивільне призначення, зокрема для підвищення безпеки та розвитку технологій в Україні.